[正版]垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子
￥72.00
前往购买
![[正版]垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子](http://imgservice.suning.cn/uimg1/b2c/image/qCnZJ8UpMHGhMpZ3ibFkkg.jpg)
![[正版]垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子](http://imgservice.suning.cn/uimg1/b2c/image/7NlVvrfPYu1KuPjXYAKIag.jpg)
![[正版]垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子](http://imgservice.suning.cn/uimg1/b2c/image/zBVRfT3cGqC6VIqdLl5PJQ.jpg)
![[正版]垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子](http://imgservice.suning.cn/uimg1/b2c/image/jNLKaZ94U6ijvrmA3-ebEQ.jpg)
![[正版]垂直型GaN和SiC功率器件 氮化镓碳化硅第三代宽禁带半导体 功率器件半导体物理材料结构设计工艺可靠性 微电子](http://imgservice.suning.cn/uimg1/b2c/image/EPRNk9V6qcRV5E16jjZDQA.jpg)
正版书籍 品质保障
正版书籍 品质保障
